Electrónica → Transistor IGBT
Transistor IGBT:
En este capítulo vamos a tratar un tema muy importante dentro de la electrónica como es el de Transistor IGBT.
Se define Transistor IGBT como:
Ver también:
Se define Transistor IGBT como:
el tipo de transistor cuyas siglas significan (Insulated Gate Bipolar Transistor), es decir, transistor bipolar de puerta aislada. Es un tipo de transistor de efecto de campo (FET).¿Eres capaz de encontrar más ejemplos? Te animamos a compartirlos abajo en los comentarios?
Ver también:
- Base (B): región del transistor entre el Colector y Emisor y que modula el paso de los portadores
- Colector (C): región del transistor que recoge o recolecta los portadores emitidos por el Emisor
- Emisor (E): región del transistor que emite portadores al Colector
- Transistor en corte: la corriente en la base no llega a un mínimo y funciona como un interruptor abierto
- Transistor en saturación: la corriente en la base supera un máximo y funciona como interruptor cerrado
- Transistor en activa: corriente entre el mínimo y el máximo, funcionando como amplificador variable
- Polarización del transistor: conseguir que la corriente eléctrica y diferencia de potencial tengan valores fijos
- Transistor de Punta de Contacto: base dopada en Germanio con dos puntas metálicas (emisor y colector)
- Transistor de Unión Bipolar: presenta dos uniones PN que permiten aumentar la corriente y disminuir la tensión
- Transistor PNP: el colector se conecta a masa y el emisor al terminal positivo
- Transistor NPN: la base es un semiconductor dopado P entre dos capas de semiconductor N
- Config. en Emisor Común: el emisor se conecta a tierra y es común para entrada y salida
- Config. en Base Común: la base se conecta a tierra y es común para entrada y salida
- Config en Colector Común: el colector se conecta a tierra y es común para entrada y salida
- Transistor de Efecto de Campo (FET): el campo eléctrico controla la forma y conductividad del canal portador
- Transistor de Canal N: el canal está dopado únicamente con un material N
- Transistor de Canal P: el canal está dopado únicamente con un material P
- Transistor MOSFET: transistor FET efecto campo metal-óxido-semiconductor que presenta cuatro terminales
- Transistor JFET: transistor de unión, presenta tres terminales y no no necesita corriente de polarización
- Transistor HEMT: transistor de efecto campo con alta mobilidad de electrones
- Transistor IGBT: transistor de efecto campo bipolar de puerta aislada
- Transistor TFT: transistor de películas finas de semiconductor activo con una capa de material dieléctrico
- Transistor CMOS: transistor de semiconductor complementario de óxido metálico
- Fototransistor: transistor sensible a la luz, incluida la región no visible del espectro
- Transistor de Aleación: transistor de unión de monocristales a los que se introducen impurezas donantes
- Transistor de Potencia: transistor diseñado para soportar altas tensiones y corrientes eléctricas
